Аморфный нитрид бора имеет лучшую в своем классе диэлектрическую проницаемость 1,78 К с сильными электрическими и механическими свойствами. Из-за этого a-BN может использоваться в качестве изоляционного материала между соединениями для минимизации электрических помех. Также очень важно, чтобы этот материал можно было использовать при производстве кремниевых пластин в массовом масштабе при относительно низкой температуре всего 400 ° C.
Об этом пишет УРА-Информ.
Это, в свою очередь, гарантирует, что аморфный нитрид бора можно легко использовать в популярных полупроводниках, таких как память DRAM и NAND. Samsung также ожидает, что разработанный им материал будет использоваться в памяти нового поколения для серверов. Представители SAIT говорят, что в последнее время возрос интерес к новым материалам и их производным, что позволит решить многие проблемы, связанные с используемыми в настоящее время технологическими процессами. Ученые хотят оправдать ожидания и будут продолжать разрабатывать передовые 2D материалы.
Ранее мы сообщали, что Google Play удалил 25 приложений, которые воровали логины и пароли.