Samsung объявил об открытии нового материала — это революция электроники

Исследователи из Института передовых технологий Samsung обнаружили новый материал под названием аморфный нитрид бора, который может революционизировать полупроводниковую промышленность. Это должно стать ключом к преодолению проблем масштабируемости, которые благодаря своим специфическим свойствам смогут использоваться в широком спектре продуктов.

Время чтения: 46 Секунд

Аморфный нитрид бора имеет лучшую в своем классе диэлектрическую проницаемость 1,78 К с сильными электрическими и механическими свойствами. Из-за этого a-BN может использоваться в качестве изоляционного материала между соединениями для минимизации электрических помех. Также очень важно, чтобы этот материал можно было использовать при производстве кремниевых пластин в массовом масштабе при относительно низкой температуре всего 400 ° C.

Об этом пишет УРА-Информ.

Это, в свою очередь, гарантирует, что аморфный нитрид бора можно легко использовать в популярных полупроводниках, таких как память DRAM и NAND. Samsung также ожидает, что разработанный им материал будет использоваться в памяти нового поколения для серверов. Представители SAIT говорят, что в последнее время возрос интерес к новым материалам и их производным, что позволит решить многие проблемы, связанные с используемыми в настоящее время технологическими процессами. Ученые хотят оправдать ожидания и будут продолжать разрабатывать передовые 2D материалы.

Ранее мы сообщали, что Google Play удалил 25 приложений, которые воровали логины и пароли.

Счастлив
Счастлив
0 %
Печален
Печален
0 %
Взволнован
Взволнован
0 %
Sleepy
Sleepy
0 %
Сердитый
Сердитый
0 %
Удивлён
Удивлён
0 %

Average Rating

5 Star
0%
4 Star
0%
3 Star
0%
2 Star
0%
1 Star
0%

Добавить комментарий